범프 기술 |
UBM 층 |
Evaporation 금속 마스크 |
Cr-Cu |
Evaporation 저항 마스크
| Cr-Cu, Au |
스크린 프린팅
| Ti-Ni-Au |
전기 도금용 Anode
| Cr-Cu, TiW-Cu-Au, Ti-Ni-Au |
전도성 폴리머 범프 |
Cr-Au |
Williams는 하나의 제품 조합에 다음을 포함한 이러한 각각의 기술들을 지원하고 있습니다.
- 스퍼터링 타겟
- Evaporation 소재
- 일반적인 도금용 소재
UBM 프로세스가 반도체 제품 생산의 거의 최종 단계가 되기 때문에 불량에 따른 막대한 경제적 피해를 줄이고자 품질 요건이 필요됩니다. 이러한 업계의 엄격한 요구를 충족시키고자 Williams는 박막의 전반적인 균일성을 향상시킨 균일하고도 미세한 입자 크기를 나타내는 최적화된 UBM™ Grade 소재를 개발하였습니다. 기체 상태의 불순물 또한 크게 줄여 박막의 전기적 특성을 매우 일관되게 하였습니다. 이 모두가 장치의 성능 향상과 양질의 웨이퍼 생산으로 이어집니다. 다음 표에는 Williams UBM Grade™ 소재의 일부 특성이 강조되어 있습니다.
소재 |
입자 크기
(미크론) |
비금속
(C ppm) |
비금속
(O ppm) |
비금속
(H ppm) |
비금속
(N ppm) |
금 |
<100 |
<30 |
<20 |
<5 |
<10 |
구리 |
<150 |
<10 |
<20 |
<5 |
<5 |
알루미늄 |
<100 |
<10 |
<10 |
<5 |
<5 |
티타늄 |
<50 |
<100 |
<500 |
<5 |
<50 |
크롬 |
<250 |
<50 |
<100 |
<200 |
<50 |
Al/Cu |
<100 |
<10 |
<50 |
<5 |
<5 |
Ni/V |
<100 |
<50 |
<100 |
<5 |
<50 |
Ni/W |
<100 |
<50 |
<100 |
<50 |
<50 |
W/Ti |
<250 |
<100 |
<600 |
<5 |
<50 |
Cr-Cu |
<250 |
<50 |
<1000 |
<100 |
<500 |
*상세한 데이터 시트는 웹사이트를 참조하십시오.
사실상 모든 스퍼터링 툴 설계 요건에 충족되는 다양한 모양과 크기의 스퍼터링 소재를 생산합니다. Williams는 종류에 따라 평균 100마이크론에서 최하 10마이크론 이하인 최적의 Grain size를 지닌 스퍼터링 타겟을 생산하는 프로세스인 SFG™를 개발하였습니다. SFG™를 통해 양질의 박막을 얻고(균일성) 타겟을 최대한 활용할 수 있습니다.
당사의 EVAPro™ 소재 사용을 통해 열(저항) 및 E-빔 증발 프로세스가 개선됩니다. EVAPro™는 기체의 내부 고임을 크게 줄이고 최초 침전 단계에서 최종 증발 단계에 이르기까지 웨이퍼당 불량률을 최소화하는 Williams의 독점 기술입니다. Williams는 또한 백킹 플레이트의 교체, 개장, 수리 및 CAD/CAM을 사용한 설계 기술력을 포함하여 필요한 모든 백킹 플레이트 설계와 내부 서비스를 제공하고 있습니다. 전세계에 걸쳐 있는 당사의 타겟 본딩 시설이 업계 최고의 본딩 서비스를 제공함과 동시에 선적 물류 비용을 최소로 줄여드립니다.
당사의 인하우스 귀금속 정제 및 재생 프로그램에는 소모된 타겟, 챔버 스크레이핑, 코팅 쉴드 키트 및 부품 클리닝 등이 포함되어 있습니다. 이 프로그램을 활용하여 비용을 절감하고 귀금속의 재고를 최소화할 수 있습니다.
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